繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車規級認證后，近日，國星光電開發的1200V/80mΩ SiC-MOSFET（碳化硅-場效應管）器件也成功獲得了AEC-Q101車規級認證并通過高壓960V H3TRB （HV-H3TRB）可靠性考核，使公司成為國內少數SiC功率分立器件產品通過雙重考核的廠商之一。

AEC-Q101 是車規元器件重要的認證標準之一。對于1200V耐壓器件，AEC-Q101在H3TRB（高溫高濕反偏試驗）考核標準中耐壓通常為100V。而在HV-H3TRB（高壓高溫高濕反偏試驗）考核中，1200V耐壓器件的耐壓提高到960V，這對器件的設計、制造及封裝技術提出了更嚴苛的要求，因而通過HV-H3TRB可靠性驗證，意味著功率器件在極端運行環境下仍有優良耐受能力及使用壽命。當前，獲得AEC-Q101車規級認證并通過HV-H3TRB可靠性考核逐漸成為各大主流汽車廠家對高可靠性功率器件的通用要求。

聚焦SiC-MOSFET器件性能的優化升級，國星光電充分發揮領先的封裝技術優勢，本次的車規器件采用了自主研發的國星NSiC-KS封裝技術，可靠性和電性能優勢明顯：

▊可靠性方面，器件以帶輔助源極管腳的TO-247-4L作為封裝形式，實現了在開關損耗等方面的創新突破，有效減少器件的發熱量，使得器件的可靠性和穩定性顯著提升，確保器件在惡劣的環境下仍能穩定運行，并保持長壽命。

▊電性能方面，采用NSiC-KS封裝的SiC-MOSFET器件，因避免了驅動回路和功率回路共用源極線路，實現了這兩個回路的解耦，器件的開關損耗、開通損耗均明顯降低，開關頻率更快，寄生電感與誤開啟風險更低。

為滿足市場多樣化需求，近年來，國星光電積極推進功率分立器件封裝產品的優化升級，并完成了TO-247、TO-220、TO-252、TO-263及DFN貼片類優勢封裝結構的開發。目前，公司已擁有主流電壓規格650V與1200V平臺的SiC-MOSFET和SiC-SBD兩大產品系列，可廣泛應用于光伏逆變、工業電源、新能源汽車、充電樁、軌道交通及智能電網等領域的電力轉換裝置。

依托豐富的半導體封裝經驗、嚴格的質量把控標準、先進的功率器件生產線以及經驗豐富的專業技術人才隊伍，國星光電可根據客戶需求提供高性能、高可靠性、高品質的封裝產品及技術解決方案。